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Cours de TRANSISTOR par correspondance
EURELEC

Numérisation du cours par Alain PASQUET - 2016

Lexique 1 / DataSheet 1 (AC105 à MFT107)

Dans cette leçon je vous initierai sur les progrès réalisés dans la fabrication des transistors, en vous donnant les caractéristiques électriques des transistors actuellement sur le marché de la radio. D’autres composants semi-conducteurs pourront compléter ce lexique.

La classification des transistors se fera par ordre alphabétique pour permettre une recherche plus rapide.

La première liste sera consacrée aux transistors de la série européenne et la deuxième à la série américaine.

Pour distinguer à quelle série appartient un transistor il faut se reporter au tableau de la figure 1 où sera indiqué par ordre alphabétique le NOM des différents types de transistors.

Il existe également une série japonaise que nous verrons par la suite.

Série Européenne

Série Américaine

Les tables constituant le lexique seront subdivisées en 18 colonnes.

Les deux premières indiqueront respectivement le nom et le type.

Colonne 1 et 18 : Nom

Pour faciliter la lecture, j’ai placé le nom à la première et à la dernière colonne des tables :

Colonne 2 : Type

Les transistors peuvent avoir les types suivants :

PNP Transistors à jonction, tension du collecteur négatif
PNP Transistors à jonction, tension du collecteur positif
Cp Transistor à contacts par pointes
Ge Transistor au germanium
Si Transistor au silicium

Colonne 3 Applications

Chacun des transistors a une application bien définie ; les applications possibles sont :

BF Transistors pour amplification basse fréquence
FI Transistors pour amplification moyenne fréquence en modulation d’amplitude
RF Transistors pour amplification des Radio-Fréquences utilisés également comme oscillateur local et convertisseur modulation d’amplitude
VHF Transistors pour circuits VHF et récepteurs à modulation de fréquence (FM), en HF et FI
VF Transistors utilisés pour les amplificateurs à large bande (vidéo-fréquence)

 

Colonne 4 : Figure

Les numéros reportés dans cette colonne se réfèrent aux différents types de câblage des supports représentés en fin de leçon. Ainsi par exemple, pour connaître le branchement d’un transistor qui dans cette colonne porte le n° 3, on doit se référer à la figure n° 3.

Colonne 5 : VCE

Indique la tension maximum admissible entre collecteur et émetteur en Volts.

Colonne 6 : IC

Indique le courant maximum du collecteur, exprimé en mA (sauf indications contraires)

Colonne 7 : PC

Indique la dissipation maximum pour une température ambiante Tamb = 35° C et exprimé en mW (sauf indications contraires)

Colonne 8 : Tj

Indique la température maximum de jonction, exprimée en degré Celsius (°C)

Colonne 9 : K

Indique la résistance thermique de la jonction du collecteur et exprime de combien de °C augmente la température de la jonction pour chaque mW dissipé en chaleur sur le collecteur ; elle est exprimée en °C/mW (sauf indications contraires)

Les valeurs de PC, Tj, Tamb et K sont liées par la formule : PC =(Tj-Tamb)/K

Tamb est la température à laquelle se trouve le transistor. Plus Tamb est grand, plus faible doit être PC afin que la température de la jonction n’atteigne pas la valeur maximun admise Tj.

Si la température ambiante est différente de 35°C, la valeur PC admise peut se calculer par la formule mentionnée ci-dessus.

Exemple : transistor SFT 123

PC = 100 mW Tj = 75°C K = 0,4°C/mW

Si la température ambiante est de 55°C au lieu de 35°C, PC se réduit à PC =(75-55)/0,4 = 20/0,4 = 50 mW

La puissance calorifique réellement dissipée sur le collecteur sera donnée par le produit de la tension continue VC mesurée entre le collecteur et l’émetteur et le courant continu IC, du collecteur (ou de l’émetteur) dans des conditions normales de fonctionnement du transistor.

La valeur obtenue du produit VC x IC ne devra jamais dépasser la valeur de PC indiquée dans la colonne 7, si la température ambiante n’est pas supérieure à 35°C

Colonne 10 : β

C’est le coefficient d’amplification en courant avec le transistor en montage émetteur commun.

La valeur de β indiquée est celle qui correspond à la tension du collecteur VC et au courant collecteur IC, reportés dans les colonnes 11 et 12 pour une température de 25 °C

α sera le coefficient d’amplification en courant avec un montage base commune et qui peut facilement se calculer avec la formule : α = β/(1+ β)

où la valeur de β figure dans la colonne 10 du lexique.

Exemple : Supposons que nous voulions déterminer le coefficient du transistor GET 571. Dans la colonne 10 se trouve la valeur β = 30 ; appliquons la formule : α = 30/(1+ 30) = 30/31 = 0,968

Si un transistor est prévu pour fonctionner uniquement en montage base commune, dans la colonne 10 n’est pas indiquée la valeur de β. Seule la valeur de α est indiquée alors dans la colonne 17.

Colonne 11 : VC

Indique la tension du collecteur, exprimée en volts

Colonne 12 : IC

Indique le courant du collecteur exprimé en mA (sauf indications contraires)

Colonne 13 : ICE0

C’est le courant résiduel du collecteur dans le montage en émetteur commun, c’est-à-dire le courant résiduel du collecteur pour un courant de base nul.

Si un transistor est réalisé pour fonctionner dans un montage à base commune, la valeur de ICE0 n’est pas mentionnée et nous trouvons à la place la valeur de ICB0 dans la colonne 17.

ICB0 est le courant résiduel du collecteur pour un montage en base commune, c’est-à-dire le courant résiduel du collecteur pour un courant de commande de l’émetteur nul.

ICE0 + ICB0 sont donnés en µA (sauf indications contraires)

Colonne 14 : fα

C’est la fréquence de coupure propre du transistor (c’est-à-dire la fréquence pour laquelle l’amplification se réduit à 70,7 % de sa valeur initiale à la fréquence de 1 000 Hz) relative au montage en base commune. Dans le cas du montage en émetteur commun fβ peut facilement se calculer avec la formule : fβ = fα/(β+1)

La valeur fβ est la fréquence de coupure propre au transistor (c’est-à-dire la fréquence pour laquelle l’amplification se réduit à 70,7 % de sa valeur initiale à la fréquence de 1 000 Hz) relative au montage en émetteur commun.

Colonne 15 : G

C’est le gain théorique en puissance en montage à émetteur commun.

Les valeurs reportées dans la colonne 15 sont exprimées en dB (décibel) ; pour obtenir le gain en rapport de puissance (c’est-à-dire pour savoir de combien de fois la puissance de sortie est plus grande que la puissance à l’entrée) il suffit de se reporter au tableau de la figure 2.

Exemple : Pour le transistor GFT 44 est indiqué un gain de 32 dB dans la colonne 15. En consultant le tableau de la figure 2 on trouve en correspondance un rapport de puissance égal à 1590 ce qui signifie que la puissance de sortie est 1590 fois supérieure à celle d’entrée.

Colonne Pu

C’est la puissance d’utilisation maximum de sortie d’un transistor étage de puissance utilisé en classe A.

Si deux transistors sont utilisés en montage Push-Pull classe AB ou B, outre l’indication dans la colonne 16 et de la valeur de Pu valable pour un seul de ces transistors, je donnerai dans la colonne 17, la nouvelle valeur de Pu en mW (sauf indications contraires) mais précédée du sigle CF–AB (classe de fonctionnement AB) ou CF–B (classe de fonctionnement B).

Colonne 17 : Note

Cette colonne est réservée comme nous l’avons vu, pour y reporter des indications particulières autres que celles indiquées dans les autres.

Je vous donne dans ce lexique la liste des transistors de la série Européenne du type AC105 au type MFT107.

LISTE DES TRANSISTORS SUR CETTE PAGE POUR INDEXATION

AC105, AF105, BCZ10, BCZ11, CTP1104, CTP1108, CTP1109, CTP111, ES3110, ES3111, ES3112, ES3113, ES3114, ES3115, ES3116, GET3, GET4, GET5, GET6, GET15, GET102, GET103, GET104, GET105, GET106, GET113, GET114, GET115, GET116, GET571, GET572, GET573, GET873, GET874, GFT20, GFT21, GFT25, GFT31, GFT32, GFT34, GFT43, GFT44, GFT2006/30, GFT2006/60, GFT2006/90, GFT3008, GFT4012, MFT106, MFT107

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