SOMMAIRE EURELEC

des circuits imprimés

Action d’user par frottement ou d’enlever par grattage - Système mécanique utilisé par des fabricants pour enlever le métal resté en relief sur la surface des circuits imprimés.

de laboratoire

Appareils de mesure et composants utiles mais non indispensables pour le travail de laboratoire.

pour appareils transistorisés

On distingue par ce vocable, les pièces détachées mécaniques d’un appareil, comme les supports de transistors, les coupleurs de piles, les rondelles plates ou éventails, etc … etc … :

L’assortiment de tels accessoires se développe au fur et à mesure de l’extension des transistors.

Substance qui, ajoutée à un semi-conducteur à l’état pur, détermine une augmentation du nombre de trous ; le semi-conducteur "contaminé" est du type P. Pour le germanium, on utilise comme accepteurs, l’indium, le gallium et l’aluminium.

C’est la condition principale que l’on doit rechercher dans la liaison entre circuits, pour obtenir un transfert maximum d’énergie d’un circuit à l’autre. En général, l’adaptation consiste à égaler l’impédance de sortie de l’étage pilote à celle d’entrée de l’étage suivant. On utilise pour cela un dispositif de liaison qui présente au premier et au second étage des impédances égales à celles de ces étages. Etant donné que les transistors présentent une impédance d’entrée faible et une impédance de sortie élevée, on doit utiliser, soit un transformateur, soir tout autre dispositif qui présente une impédance élevée à la sortie d’un transistor et une faible impédance à l’entrée de l’autre transistor.

Paramètre d’un transistor, correspondant à la conductance g lorsque l’on utilise les paramètres impédance z au lieu d’utiliser les paramètres r. Les paramètres z et y ne sont pas autre chose que la généralisation des paramètres r et g. Ainsi l’impédance z est la généralisation de la simple résistance ohmique r et l’admittance y celle de la simple conductance g.

Symbole formé avec les initiales de Audio-Fréquency * (Audio-Fréquence) pour indiquer qu’il s’agit de fréquences sonores. On dit plus souvent B.F. (basse fréquence).

Consiste en un mouvement continuel et désordonné des électrons libres, présents dans la structure moléculaire des matériaux, sous l’action de la chaleur. Dans les semi-conducteurs, l’augmentation de l’agitation thermique provoque un accroissement de la "mobilité" propre des électrons ; on obtient en conséquence une conductivité plus grande.

Facteur d’amplification en courant d’un transistor monté en base à la masse. A tension de collecteur constante, c’est le rapport de la variation du courant de collecteur à la variation du courant d’émetteur.

C’est l’opération qui consiste à compenser les éventuelles différences de capacités à l’aide de petits condensateurs ajustables, et les différences d’inductance à l’aide du réglage de noyaux magnétiques. Si l’on parle d’un récepteur superhétérodyne, ceci signifie aussi mise au point ou réglage de l’appareil.

Fourniture de l’énergie électrique nécessaire pour assurer le fonctionnement d’un appareil, la mise en action d’un circuit, etc… à courant constant. Voir "générateur à courant constant" et aussi "générateur à tension constante".

Dénomination anglaise des transistors où l’émetteur est allié et la base diffusée.

Dénomination anglo-saxonne des transistors alliés.

Abréviation de "Amplitude Modulation" * ou Modulation d’Amplitude.

Dispositif électronique servant à augmenter l’amplitude d’un signal. Un étage amplificateur à transistors est utilisé en général pour obtenir un signal à puissance plus grande : il peut servir aussi comme adaptateur entre 2 impédances différentes.

à transistor base à la masse

Le circuit d’entrée est branché entre émetteur et la base (masse), la sortie entre le collecteur et la base (masse). Dans un tel circuit, on obtient une amplification en tension et en puissance.

à transistor collecteur à la masse

L’entrée est branchée entre base et collecteur ; la sortie entre émetteur et collecteur. Avec les transistors actuels, l’amplification en tension est toujours inférieure à 1. Le montage est surtout utilisé comme adaptateur d’impédance.

à transistor émetteur à la masse

L’entrée est branchée entre la base et l’émetteur. Ce montage est surtout utilisé dans le cas où l’on désire obtenir une amplification en puissance et une grande amplification en courant.

Classe A

Dans ce montage, le transistor est polarisé de façon à ce que le signal d’entrée tout entier, provoque la variation du courant et de la tension de sortie. Le signal reproduit est l’image fidèle, quant à sa forme, du signal d’entrée. L’amplificateur travaille au milieu de la partie rectiligne de la courbe caractéristique.

Classe B

Dans ce montage, le transistor est polarisé de façon que seule une alternance du signal d’entrée provoque la variation du courant et de la tension de sortie. L’amplificateur travaille tout près du coude de la courbe caractéristique, c’est-à-dire au voisinage du cut-off.

Classe C

Le transistor est polarisé de façon que seules les crêtes du signal (positives ou négatives) provoquent la conduction du circuit de sortie.

AF (ou BF)

Circuits étudiés pour amplifier des signaux acoustiques.

FI

Circuits étudiés pour amplifier des signaux à fréquence intermédiaire.

HF

Circuits étudiés pour amplifier des signaux à haute fréquence.

Procédé chimique utilisé lors de la réalisation des circuits imprimés, et consistant à enlever le matériau conducteur indésirable qui recouvre le support isolant ; ceci est obtenu en immergeant la plaquette de bakélite cuivrée recouverte partiellement par un vernis protecteur, dans une solution chaude de chlorure de fer.

Lorsque la tension inverse appliquée aux électrodes d’une diode à jonction dépasse une certaine valeur, le courant inverse augmente subitement. Ce phénomène est dû à l’accélération des charges dans la zone de jonction et à la multiplication des collisions entre ces charges et les atomes donneurs et accepteurs. Du fait de ces collisions, de nombreux électrons fixés naguère dans le réseau cristallin se trouvent libérés et il en résulte un accroissement considérable du courant.

Une des électrodes du transistor. Dans les transistors à jonction, la base constitue la couche centrale du matériau semi-conducteur. Dans les transistors à pointe, elle constitue la plaquette semi-conductrice.

à la masse

Montage dans lequel la base du transistor est commune aux circuits d’entrée et de sortie. Ce montage est similaire à celui d’un tube électronique à grille à la masse.

commune

Expression équivalente à celle de "base à la masse".

Ce sigle est utilisé concurremment avec A.F (audio-fréquence).

Bande de fréquences qui correspond à l’ensemble des sons audibles et à leurs harmoniques, c’est-à-dire à l’échelle de fréquence dites acoustiques, comprises entre 16 et 20 000 hertz.

Alimentation formée par des générateurs élémentaires de courant continu (piles – accumulateurs) groupés en série, ou en parallèle ou encore en série-parallèle.

Facteur d’amplification en courant d’un transistor monté en émetteur à la masse. A tension de collecteur constante, il exprime le rapport entre la variation du courant de collecteur à la variation correspondante du courant de base.

Initiales de Contrôle Automatique de Fréquence.

Initiales de Contrôle Automatique de Gain

Courbe qui représente graphiquement la variation réciproque de deux quantités lorsque la valeur de l’une dépend de la valeur de l’autre. C’est par exemple la relation qui existe entre la tension et le courant d’un même circuit. Une caractéristique peut-être exprimée sous forme d’une courbe ou d’un tableau. Dans le cas d’un tableau, on indique les principales valeurs des 2 grandeurs variables. Ces valeurs sont disposées de façon que connaissant la mesure d’une des 2 grandeurs, on puisse déterminer immédiatement la mesure de l’autre. Sous forme graphique au contraire, on obtient des courbes se référant à un système de 2 axes rectangulaires. Sur chacun des 2 axes, on porte à partir du point d’intersection, les valeurs, croissantes d’une des deux grandeurs variables. A chaque paire de valeurs, correspond un point de la courbe et il devient ainsi facile de déterminer une .valeur connaissant l’autre qui lui correspond. Sur un même graphique on peut porter une "famille" de courbes caractéristiques, chacune d’elle représentant la forme des 2 mêmes grandeurs variables de façon à pouvoir déterminer les valeurs d’une troisième grandeur. On peut ainsi dessiner sur le même diagramme (graphique) différentes courbes tension-courant, chacune pour des valeurs différentes de la température lorsque celle-ci influe sur l’allure du phénomène étudié. Si l’on voulait décrire de façon complète le fonctionnement d’un transistor à température constante (par exemple à la température ambiante de 25°C) par la méthode graphique, il faudrait dessiner 36 diagrammes différents. Les constructeurs ne donnent en général que les courbes principales, les autres pouvant être facilement déduites.

d’entrée

C’est la courbe qui indique la variation de la tension et du courant d’entrée d’un transistor, lorsque l’on maintient constante la tension de sortie. Ainsi, dans un montage base à la masse, la caractéristique d’entrée représente les variations du courant de l’émetteur et de la tension base-émetteur à tension de collecteur constante.

de sortie

C’est la courbe qui représente la variation de la tension et du courant de sortie d’un transistor, lorsque l’on maintient constant le courant d’entrée. Ainsi, dans un montage base à la masse, la courbe caractéristique de sortie représente les variations de courant du collecteur et de la tension base-collecteur à courant d’émetteur constant. Souvent, les constructeurs donnent une famille de courbes caractéristiques de sortie pour différentes valeurs du courant d’entrée.

mutuelle en courants

C’est la courbe qui représente la variation du courant de sortie en fonction du courant d’entrée du transistor, à tension de sortie constante.

mutuelle en tensions

C’est la courbe qui représente les variations des deux tensions d’entrée et de sortie, à courant d’entrée constant.

Les constructeurs donnent souvent une famille de courbes caractéristiques mutuelles en tension pour différentes valeurs du courant d’entrée.

Valeurs qui définissent les limites supérieures et inférieures que peut prendre une grandeur variable sans danger pour le dispositif. Les caractéristiques maximales absolues pour une diode ou un transistor, sont les tensions maxima positives et négatives, la puissance maximum dissipable, la température maximum de la jonction, etc …, que peut supporter l’élément (diode ou transistor) sans danger d’être détruit.

C’est la région de l’espace qui entoure un ou plusieurs corps électrisés. Dans l’étude des phénomènes électriques, le champ est représenté par les forces d’attraction ou de répulsion qui agissent sur une charge électrique positive située à proximité.

C’est la région de l’espace qui entoure un ou plusieurs corps magnétisés. Le champ magnétique est représenté par les forces qui agissent en chacun des points de l’espace sur une quantité unitaire de magnétisme positif (Nord).

Initiales de Commande Automatique de Sensibilité.

Initiales de Commande Automatique de Volume.

C’est l’élément qui absorbe la puissance délivrée par un générateur. Dans un circuit les charges sont souvent des résistances qui absorbent l’énergie électrique et la dissipent sous forme de chaleur. Elles peuvent être des selfs ou des condensateurs, qui absorbent l’énergie et l’emmagasinent sous forme de champ magnétique ou électrique.

Elles peuvent être des haut-parleurs qui transforment l’énergie électrique en énergie mécanique et acoustique, etc.. etc..

Le transistor représente aussi une charge pour le circuit amont, car à la différence d’un tube électronique qui n’est commandé seulement que par la tension de grille, le transistor est commandé par une tension et un courant de base. Ceci signifie donc, que pour piloter un transistor, on doit dépenser une certaine puissance et dissiper une certaine quantité d’énergie.

Le tube électronique et le transistor représentent aussi une charge pour l’alimentation en ce sens qu’ils ont besoin de tension et de courant de polarisation pour fonctionner.

capacitive

Se dit d’une charge constituée par un condensateur. La puissance nécessaire pour une charge capacitive idéale est dite "puissance réactive".

inductive

Se dit d’une charge constituée par une inductance (self) fixe. La puissance qu’absorbe une charge inductive idéale est une puissance réactive, tout comme dans le cas d’une charge capacitive. Si l’inductance peut se mouvoir, la puissance absorbée se transforme en puissance mécanique.

ohmique

Se dit d’une charge constituée par une résistance. La puissance absorbée et dissipée par une charge ohmique est de la "puissance "active"

C’est une quantité d’électricité, généralement associée à un corps matériel.

négative

Quantité d’électricité négative. L’électron constitue la charge négative élémentaire.

positive

Quantité d’électricité positive : dans les semi-conducteurs les charges positives sont les trous (appelés encore lacunes).

Ensemble élémentaire d’organes qui entrent dans la composition d’un circuit à fonction spéciale (filtre à haute ou basse fréquence, redresseur à oxyde, etc …) et dont le groupement peut servir à former un dispositif plus complet, plus efficace (chaîne de cellules).

photoconductrice

C’est un dispositif dont la résistance varie, en fonction de la quantité de lumière qui frappe l’ouverture pratiquée dans son enveloppe. Le fonctionnement d’une telle cellule est basé en général sur le phénomène de la photoconductivité qui se manifeste dans les semi-conducteurs sous l’action de la lumière.

photo-électrique

Dénomination générale utilisée pour indiquer les cellules photoconductrices et photo-voltaïques.

photo-résistante

Voir "cellule photo-conductrice".

photo-voltaïque

Voir "cellule photo-électrique auto-génératrice".

solaire

Dispositif à semi-conducteur qui convertit la lumière rayonnée par le soleil en énergie électrique. Les cellules solaires sont photo-électriques auto-génératrices du type (photo-voltaïque).

Ensemble de conducteurs, d’appareils et de machines à travers lesquels circule le courant électrique ou le flux magnétique. Font partie d’un même circuit électrique les conducteurs et les organes à travers lesquels circulent les courant dans un appareil, ou dans une partie de cet appareil caractérisée par la fonction spéciale qu’elle remplit.

équivalent d’un transistor

Ce sont les différentes dispositions d’un quadripôle représentant le fonctionnement électrique du transistor. Les circuits équivalents les plus courants sont ceux en T, en π, en H (voir "quadripôles").

fondamental d’amplificateur à transistors

Il y en a trois : base à la masse, émetteur à la masse, collecteur à la masse (voir "Amplificateur").

imprimé

C’est un circuit électrique dont les fils sont remplacés par un dessin imprimé avec une substance conductrice qui est en général du cuivre déposé sur un support isolant. La trame ainsi imprimée est interrompue en de nombreux points percés, dans lesquels sont soudés les différents composants (résistances, condensateurs, transistors, diodes …). Il y a deux procédés technologiques différents. Le premier consiste à déposer le matériau conducteur suivant une trame dessinée (imprimée). Le second consiste à enlever une partie du matériau conducteur là où l’on n’en a pas besoin : on découvre la trame dessinée. Les circuits ainsi préparés sont appelés improprement d’ailleurs "imprimés".

imprimé monté

Le véritable circuit imprimé est celui qui est constitué par des connexions, des résistances, des condensateurs et des selfs déposés sur un support isolant de la même manière d’ailleurs que celle indiquée plus haut. On trouve dans le commerce, des ensembles HF pour T.V. réalisés selon le procédé du circuit imprimé. Très souvent les appareils transistorisés sont montés avec des plaquettes à circuits imprimés.

C’est la relation qui existe entre la polarisation d’un transistor et le signal d’entrée (voir "Amplificateur classes A, B, et C").

de répartition des impuretés dans un semi-conducteur

C’est la valeur du rapport entre la concentration des impuretés dans le semi-conducteur recristallisé et la concentration de ces mêmes impuretés dans le semi-conducteur liquide (en fusion). On tient compte de ce coefficient dans la préparation des semi-conducteurs dopés et dans la formation des jonctions.

de ségrégation des impuretés dans les semi-conducteurs

Synonyme de "coefficient de répartition".

d’amplification

Pour un tube électronique (ou un transistor) amplificateur, rapport entre la tension, l’intensité, la puissance recueillie à la sortie et la tension, l’intensité ou la puissance fournie au circuit d’entrée.

de surtension (ou de qualité, ou de mérite) Symbole Q

Se rapporte à un circuit oscillant et exprime le rapport L/R c’est-à-dire le rapport entre la tension qui se manifeste aux bornes du circuit et celle qui est fournie par l’extérieur. Il est d’autant plus grand que les pertes du circuit sont plus faibles, c’est-à-dire que la résistance R est petite devant l’inductance de la self.

Une des électrodes du transistor. Le collecteur a une fonction analogue à celle de la plaque dans un tube électronique. Il peut être constitué par un semi-conducteur P si la base est N ou bien par un semi-conducteur N si la base est P.

à la masse

Montage dans lequel le collecteur est commun aux circuits d’entrée et de sortie. Le fonctionnement d’un transistor collecteur à la masse est analogue à celui d’un tube électronique avec plaque à la masse.

commun

Synonyme de "collecteur à la masse".

Abréviation employée pour indiquer la partie du circuit d’un appareil dans lequel circulent tous les courants de "retour" vers l’alimentation. En général, le commun correspond à la masse du châssis.

Solution adoptée dans un montage pour corriger les défauts de fonctionnement d’un des circuits.

Système matériel possédant de la capacité électrostatique, généralement composé de 2 surfaces conductrices, ou armatures séparées par un milieu isolant.

au polyestyrène

Condensateur où le milieu isolant est constitué par du polyestyrène (matériau plastique isolant). L’emploi du polyestyrène permet d’obtenir une forte valeur du rapport capacité/volume, c’est-à-dire une diminution notable de l’encombrement.

au tantale

Condensateurs électrochimiques miniatures dans lesquels l’oxyde de tantale est utilisé comme diélectrique.

Paramètre d’un transistor.

d’entrée avec sortie court-circuitée

Correspond à la valeur du rapport courant d’entrée/tension d’entrée.

directe de transfert avec sortie court-circuitée.

Correspond à la valeur du rapport courant de sortie/tension d’entrée.

de sortie avec entrée court-circuitée

Correspond à la valeur du rapport courant de sortie/tension de sortie.

inverse de transfert avec entrée court-circuitée

Correspond à la valeur du rapport courant d’entrée/tension de sortie.

Conduction électrique propre aux semi-conducteurs du type N et en général aux conducteurs solides.

par trous (ou lacunes)

Conduction électrique propre aux semi-conducteurs du type P.

Synonyme de liaison. C’est la liaison électrique conductive réalisée au moyen d’un conducteur métallique, de dimensions quelconques, entre appareils différents ou entre parties d’un même appareil.

Grandeur qui n’est pas susceptible de variation et qui exprime généralement un rapport de proportionnalité entre deux phénomènes physiques liés l’un à l’autre.

de répartition

Voir "Coefficient de répartition".

de ségrégation

Voir "Coefficient de répartition".

Point de connexion entre 2 éléments et où le courant électrique rencontre la même résistance quel que soit son sens.

à pointes

Contact redresseur utilisé pour la fabrication des diodes et des transistors à pointes.

redresseur

Point de connexion entre un conducteur et un semi-conducteur. Il a la propriété de présenter au courant électrique, une résistance élevée dans un certain sens (résistance inverse) et une faible résistance dans l’autre sens (résistance directe).

On dit aussi "réaction négative". Consiste à renvoyer à l’entrée d’un «étage amplificateur en opposition de phase, une fraction du signal de sortie, de façon que l’amplitude du signal d’entrée (et de sortie) se trouve atténuée. La contre-réaction tend à "neutraliser" les distorsions que subit un signal lors de son passage à travers les différents étages amplificateurs. Dans les amplificateurs HF, la contre-réaction évite les oscillations parasites (accrochages) et les différents circuits sont dits de "Neutrodynage".

On dit que 2 circuits électriques sont couplés lorsqu’il existe un transfert d’énergie de l’un à l’autre.

direct (pour signaux alternatifs)

Le couplage est obtenu en reliant directement la sortie du premier transistor à l’entrée du second à l’aide d’un simple fil conducteur.

direct (pour signaux continus)

Le couplage est obtenu en reliant directement à l’aide d’un fil conducteur, la sortie du premier transistor à l’entrée du suivant. On peut monter de cette façon deux ou plusieurs étages qui peuvent alors amplifier du courant continu.

apériodique (non sélectif)

Un couplage est dit apériodique quand il laisse passer toutes les fréquences, en présentant une impédance constante à toutes ces fréquences. Les couplages apériodiques sont ceux à résistance et capacité, à impédance (avec self et capacité), à transformateur (entre circuits non accordés). En général, les couplages apériodiques sont ceux qui sont réalisés dans les étages à basse fréquence, par résistance et capacité ou par liaison directe.

sélectif

On dit qu’un couplage est sélectif, lorsque le premier et le second circuit sont accordés dans une bande de fréquence. En général, on a besoin d’un couplage sélectif entre étages HF (fréquence HF ou FI). Il y a trois grandes catégories : à bande passante très étroite ; à bande passante moyenne : à large bande passante. Dans les circuits radio d’un appareil transistorisé on utilise soit le couplage capacitif (à l’aide d’un condensateur), soit à l’aide d’un transformateur, soit inductif (self à prise intermédiaire)

de blocage (ou d’interdiction, ou de cut-off) du collecteur

C’est le courant inverse de la diode collecteur-base à circuit d’entrée ouvert.

de polarisation

C’est le courant continu délivré par l’alimentation qui sert à maintenir un dispositif dans les conditions de fonctionnement voulu. Le point de fonctionnement d’un transistor dépend du courant de polarisation.

direct

C’est le courant continu qui traverse la diode dans le sens de la conduction.

inverse

C’est le courant continu qui traverse la diode dans le sens de la résistance maximum.

inverse de saturation de collecteur

Dénomination équivalente à celle du "courant de blocage".

résiduel du collecteur

Voir ci-dessus.

Voir "Caractéristiques".

Dénomination anglo-saxonne du "courant d’interdiction du collecteur".

Initiales de coefficient de température négatif. (Voir "Thermistance").

Inconvénient auquel est assujetti le transistor dans un montage non stabilisé. La température du transistor augmente jusqu’à atteindre puis dépasser la valeur maximum, au-dessus de laquelle le transistor est détruit.

Opération consistant à supprimer les alternances de même signe des courants de haute fréquence, de manière à pouvoir extraire le signal modulant qui est en général à Basse Fréquence. Ce dernier peut alors impressionner le H.P. ou l’oreille. L’élément principal d’un détecteur est une diode.

Répartition spontanée des particules matérielles ou électriques dûes à une expansion dans toutes les directions par agitation thermique ou par réaction électrique mutuelle entre les particules mêmes.

des impuretés

Procédé employé dans la technologie des semi-conducteurs. Grâce à la diffusion des éléments donneurs ou accepteurs dans le réseau monocristallin, on peut obtenir des semi-conducteurs N ou P et des jonctions redresseuses P-N.

électrique

Répartition des charges dans un conducteur sous l’effet de la réaction électrostatique mutuelle ; on a ainsi par exemple une diffusion électrique dans le semi-conducteur (base) d’un transistor. Le phénomène de la diffusion électrique est essentiellement différent du "déplacement des charges" sous l’action d’un champ extérieur. En effet dans la diffusion des charges, il n’y a pas de déplacement dans une direction privilégiée, mais il a lieu dans toutes les directions et les déplacements sont beaucoup plus lents.

Dispositif constitué essentiellement de deux électrodes : la cathode et l’anode. La diode a la propriété de redresser les courants alternatifs.

à jonction

Diode constituée de deux couches de semi-conducteurs de conductibilité opposée, c’est-à-dire du type P et N.

à pointes

Diode formée par le contact d’une pointe métallique de thungstène, ou d’un autre matériau sur un cristal semi-conducteur.

contrôlée

Dispositif constitué par deux ou trois électrodes : la cathode, l’anode et éventuellement une électrode de contrôle. Le dispositif fonctionne comme une diode. Mais avant qu’il y ait un état normal de conduction, .il faut appliquer entre l’anode et la cathode une tension relativement élevée (tension d’amorçage). La valeur de cette tension d’amorçage peut être contrôlée en faisant varier entre de très faibles limites (1,5 V environ) une tension de polarisation qui peut être appliquée sur l’électrode de contrôle. Il est donc possible au moyen de cette électrode de contrôler la puissance délivrée à cette charge.

paramétrique

Diode à cristal semi-conducteur utilisée comme mélangeuse. Dans ce but, on utilise la caractéristique directe d’une diode comme résistance variable. D’autre part, pour obtenir un gain maximum dans le changement de fréquence, on peut réaliser des circuits particuliers dans lesquels on utilise la diode comme une réactance variable.

tunnel

Diode particulière, appelée aussi "E S A K I", du nom de son inventeur. Dans cette diode, le courant augmente avec la tension jusqu’à atteindre une valeur maximum ; au-dessus de cette valeur, le courant diminue et tend à s’annuler bien que la tension continue à augmenter. Dans un certain intervalle, le courant reste constant ; enfin, pour des tensions supérieures à 0,5 V, la diode se comporte normalement, comme toutes les diodes à semi-conducteurs (voir "Effet tunnel").

Zener

Dispositif réalisé de façon à pouvoir supporter les conséquences de l’effet Zener (voir "Effet Zener"). Les diodes Zener sont obtenues par une jonction entre un fil d’aluminium et une pastille de silicium N. Elles sont utilisées comme régulateurs de tensions et dans les alimentations stabilisées.

Terme générique, utilisé couramment pour indiquer un groupe de composants qui accomplissent des fonctions déterminées.

à semi-conducteurs

Elément composé d’un système de semi-conducteurs. Exemple de dispositifs à semi-conducteurs : diodes à jonction ; diodes à pointes, transistors, photo-diodes, cellules photovoltaïques, etc …

électrique

Existe toujours lorsqu’un dispositif absorbe une certaine puissance électrique.

thermique

Se produit lorsqu’un dispositif cède de la chaleur au milieu extérieur.

Matériau, qui ajouté à un semi-conducteur pur détermine une augmentation des électrons de conduction. Le semi-conducteur contaminé, présente alors une conductibilité du type N. Sont donneurs : l’antimoine, l’arsenic et le phosphore.

Opération qui consiste à introduire dans le réseau d’un mono-cristal semi-conducteur, des impuretés du type P (accepteur) ou du type N (donneur).

Voir "Effet Drift".

Phénomène qui se produit pour des conditions déterminées.

d’un champ électrique

Accélération ou déviation des charges électriques qui entrent dans la région où s’exerce le champ. On a ainsi construit quelques types de transistors qui exploitent l’effet du champ pour améliorer la réponse aux hautes fréquences.

drift *(signifie "poussée, dérive")

Accélération des charges diffusées dans l’électrode de base d’un transistor, lorsque les impuretés sont . réparties à concentration décroissante. L’accélération est dûe à la présence d’un champ électrique qui se forme le long de l’épaisseur de la base, provoqué par une répartition décroissante des impuretés et une diffusion des charges libres.

Hall

Différence de potentiel qui se manifeste dans un conducteur ou dans un semi-conducteur, plongé dans un champ magnétique. Cette différence de potentiel est dirigée dans une direction transversale par rapport aux lignes du flux magnétique.

Peltier

Dans un circuit électrique non homogène c’est-à-dire constitué par deux métaux différents, effet qui se traduit par une absorption ou par un dégagement de chaleur lorsque le courant traverse le point de jonction de deux métaux ou alliages différents. L’effet Peltier est utilisé dans les thermocouples, les piles thermoélectriques, les détecteurs thermoélectriques, etc …

Seebeck

Apparition et circulation de courant dans uns tore constitué par deux métaux différents, quand une des deux jonctions est portée à une température sensiblement plus élevée par rapport à l’autre.

Thomson

Différence de potentiel qui apparait aux deux extrémités d’un même conducteur, quand la température de celui-ci décroît d’une extrémité à l’autre.

transistor

Phénomène suivant lequel on obtient une variation de courant entre émetteur et collecteur en faisant varier le courant de base du transistor.

tunnel

Phénomène suivant lequel on obtient le passage d’un courant dans le sens de conduction de la diode tunnel, lorsque la tension directe est comprise dans un intervalle bien déterminé. On constate le même phénomène dans des dispositifs spéciaux à superconducteur. On n’a pas encore trouvé une explication valable pour ce phénomène (voir "diode tunnel").

d’avalanche (voir "avalanche")

Volta

Apparition d’une différence de potentiel entre deux métaux différents, mis en contact l’un avec l’autre C’est sur cet effet qu’est basé le fonctionnement de la pile Volta.

Zener

Cet effet se traduit par un accroissement considérable du courant inverse d’une diode à jonction lorsque la tension inverse dépasse une certaine valeur qui reste cependant inférieure à la tension nécessaire pour obtenir l’effet d’avalanche. L’accroissement du courant inverse par effet Zener est dû à l’accélération des charges dans la zone de jonction sans pour cela qu’il y ait un accroissement des collisions contre les atomes d’impuretés, c’est-à-dire avant que ne se produise l’effet d’avalanche. En pratique, on dit qu’une diode présente l’effet Zener quand la résistivité du semi-conducteur reste inférieure à 0,5 Ω cm ; lorsque la résistivité est supérieure à 0,5 Ω cm, il y a effet d’avalanche.

Terme utilisé pour indiquer la pièce conductrice d’un dispositif dans laquelle se forme un flux de courant. Dans un tube électronique, ou une diode, l’anode et la cathode sont des électrodes, dans un transistor, l’émetteur la base et le collecteur ; les éléments actifs d’une pile ou d’un accumulateur sont aussi des électrodes.

Une des électrodes d’un transistor ; a une fonction similaire à la cathode d’un tube électronique.

à la masse

Montage dans lequel l’émetteur est commun aux circuits d’entrée et de sortie. Ce montage ressemble un peu au montage d’un tube électronique avec cathode à la masse.

commun

Expression synonyme d’émetteur à la masse

Voir "Diode Tunnel".

de bruit

Rapport entre la puissance totale des bruits à la sortie d’un transistor et la puissance théorique que l’on aurait à la sortie si le transistor n’ajoutait aucun bruit à celui présent à l’entrée.

de stabilité d’un transistor

Rapport entre la variation du courant de collecteur à la variation du courant inverse de saturation.

Voir "Caractéristiques de sortie" et "Caractéristiques mutuelle en tension".

Fer à souder électrique dont la panne est extrêmement mince et fine et particulièrement adaptée pour de petites soudures sur circuit imprimés. La puissance d’un tel fer est faible : 15 à 30 W au maximum.

Initiales de Fréquence Intermédiaire

Initiales de Frequency Modulation, c’est-à-dire Modulation de Fréquence.

de coupure

C’est la fréquence pour laquelle le coefficient d’amplification (α ou β) d’un transistor, se réduit à 0,707 fois la valeur qu’il a pour les fréquences basses (par exemple à 1.000 Hz)

Nombre qui exprime le rapport entre l’amplitude d’un signal de sortie à l’amplitude d’un signal d’entrée d’un dispositif quelconque.

en courant

Rapport entre les variations du courant de sortie aux variations correspondantes du courant d’entrée.

en puissance

Rapport entre la puissance de sortie à la puissance d’entrée. Le gain en puissance s’exprime en général en décibels.

en tension

Rapport entre les variations des tensions de sortie et d’entrée.

à courant constant

Générateur qui possède une très grande résistance interne.

à tension constante

Générateur qui possède une très faible résistance interne.

Variation croissante (ou décroissante) d’une grandeur déterminée entre deux points.

d’impuretés dans un semi-conducteur

Variation de la concentration des impuretés dans une direction déterminée du semi-conducteur.

thermique d’un conducteur

Variation graduelle de la température d’une extrémité à l’autre d’un conducteur.

Physicien qui découvrit l’effet qui porte son nom. Voir "Effet Hall".

Haut-parleur utilisé dans les récepteurs à transistor. Ils sont du type électrodynamique à aimant permanent et ne diffèrent des H.P. classiques que l’on trouve dans les récepteurs à tubes, que par leurs dimensions. Leur impédance d’entrée est en général relativement faible (quelques Ohms). On trouve cependant des H.P. miniatures à forte impédance (30 à 120 Ω) qui permettent leur utilisation sans transformateur de sortie.

Initiales de Haute Fréquence. Se dit d’un signal dont la fréquence est élevée par rapport aux autres fréquences mises en jeu dans le circuit. Ainsi, la fréquence du signal d’antenne est dite haute par rapport aux fréquences acoustiques (BF) et même par rapport aux fréquences intermédiaires (FI).

Courant inverse de saturation d’un transistor monté en base commune

Courant inverse de saturation d’un transistor monté en émetteur commun.

Matériaux utilisés pour le dopage des semi-conducteurs.

du type N

Eléments qui, introduits en quantité convenable dans le réseau d’un cristal semi-conducteur, déterminent dans le matériau une conductibilité N, c’est-à-dire un accroissement du nombre d’électrons libres. L’antimoine, l’arsenic, le phosphore sont des impuretés du type N.

du type P

Eléments qui, introduits en quantité convenable dans le réseau d’un cristal semi-conducteur, déterminent dans le matériau une conductibilité P, c’est-à-dire un accroissement du nombre de trous. Le bore, l’aluminium, le gallium, l’indium sont des impuretés du type P

ohmique

Connexion entre deux métaux, telle qu’un courant continu qui le traverse dans un sens ou dans l’autre rencontre toujours la même résistance.

redresseuse

Connexion entre un métal et un semi-conducteur, ou entre deux semi-conducteurs de conductibilité opposée (P et N). La jonction redresseuse est caractérisée par la propriété suivante : un courant continu qui la traverse dans un sens rencontre une faible résistance ; s’il la traverse dans l’autre sens, il rencontre une résistance très élevée : c’est l’effet redresseur de la jonction semi-conductrice. Différents types de jonctions redresseuses existent, selon le procédé de fabrication : jonction métallique en contact avec une pointe ou en contact avec une soudure ; jonction alliée ; jonction par accroissement contrôlé du monocristal semi-conducteur ; jonction par diffusion d’impuretés P dans un monocristal N ou d’impuretés N dans un monocristal P.

Voir "trou"

Initiales anglo-saxonnes de "Micro Alloy Diffused-base transistor" qui signifie Transistor microallié à base diffusée. C’est un transistor HF obtenu par un procédé de diffusion (voir "diffusion d’impuretés") et de microalliage (voir "micro-alliage").

Dans un appareillage électronique, c’est le conducteur dans lequel se retrouvent les courants de retour des différents circuits. La masse peut être constituée par un conducteur général commun à tous les étages et composé d’un fil de liaison de grande section ; elle peut être aussi composée du châssis métallique même de l’appareil et dans les circuits imprimés elle est en général réalisée par une piste large qui s’étend tout autour de la plaquette. On mesure en principe les différentes tensions par rapport à la masse ; ceci signifie donc que l’on considère le conducteur de masse non seulement comme le retour de tous les courants vers l’alimentation, mais aussi comme l’ensemble de tous les points de référence pour toutes les tensions.

Nom donné à un type de transistors HF que l’on obtient par un procédé de diffusion et d’alliage. Le profil du transistor rappelle celui de deux monticules s’élevant au-dessus d’un même plan. De tels monts sont appelés MESA en Amérique du sud, d’où le nom donné à ces transistors. Un des reliefs est constitué par un matériau allié, utilisé pour former la jonction de l’émetteur ; l’autre est constitué d’un matériau servant à la sortie de la base. La base est obtenue par diffusion d’impuretés dans la plaquette d’origine constituant l’électrode du collecteur.

C’est un circuit électrique comprenant deux ou plusieurs entrées et une seule sortie. Dans un tel circuit, les signaux appliqués aux différentes entrées se trouvent "mélangés" de façon à obtenir à la sortie commune un signal de forme composite. Dans les récepteurs superhétérodynes à transistors ou à tubes, on donne le nom de mélangeur à la partie du circuit changeur de fréquence dans lequel le signal HF de l’émission se trouve mélangé avec celui de l’oscillateur local, pour donner à la sortie, le battement à fréquence intermédiaire.

Procédé de formation des transistors. Un barreau convenablement dopé est chauffé à une extrémité jusqu’à l’obtention d’une fusion partielle. On refroidit ensuite très lentement la zone liquide, qui recristallise en conservant l’orientation originale du monocristal. Si le dopage a été fait correctement, on obtient à la fin du processus une zone centrale de conductibilité opposée à celle des deux zones extrêmes et ainsi on réalise dans le monocristal, une structure transistor.

Initiales de Moyenne Fréquence. Synonyme de Fréquence Intermédiaire.

Méthode de formation de la jonction redresseuse dans un semi-conducteur par utilisation de faibles quantités d’un matériau allié.

En général la jonction micro-alliée intéresse une zone très restreinte du mono-cristal semi-conducteur et l’on peut considérer qu’en pratique, elle ne forme qu’un point.

Opération par laquelle, on fait varier un des paramètres d’une onde, c’est-à-dire soit son amplitude, soit sa fréquence, soit sa phase. En général, la variation du paramètre, par exemple l’amplitude dans la modulation d’amplitude, suit l’allure d’un signal dit "signal modulant" ou simplement "signal". Pour qu’il y ait effectivement modulation, il faut que la fréquence de l’onde porteuse soit notablement plus élevée que celle du signal. Le circuit dans lequel se fait la modulation est appelé "modulateur".

Contact métallique très fin, utilisé comme anode dans une diode à pointes, comme émetteur et comme collecteur dans un transistor à pointes.

Symbole d’un semi-conducteur dopé par des impuretés du type "donneur" (voir ce mot).

Réaction négative utilisée dans les amplificateurs HF pour combattre la tendance à l’accrochage et pour assurer l’interchangeabilité des transistors.

Symbole d’un transistor formé par un émetteur et un collecteur de type N, d’une couche intermédiaire P et d’une couche de semi-conducteur intrinsèque qui constituent toutes les deux l’électrode de base.

Symbole d’un transistor formé par un émetteur et un collecteur de type N et une base du type P.

Initiales anglo-saxonnes de Négative Température Coefficient qui signifie coefficient de température négatif.

Voir "thermistance".

Circuit électrique dans lequel se forment des oscillations en tension ou en courant. On donne ce nom en particulier à des appareils qui étant alimentés par une tension continue (éventuellement redressée), délivrent à la sortie une tension alternative sinusoïdale. Ils sont constitués essentiellement d’un ou plusieurs étages amplificateurs (à tubes ou à transistors), et d’un système de réaction positive qui couple la sortie à l’entrée de ce même amplificateur.

Symbole d’un semi-conducteur dopé par des impuretés du type "accepteurs" (voir ce mot).

Ce sont les constantes qui représentent des conditions déterminées dont dépendent les propriétés et les caractéristiques électriques d’un circuit ou d’un dispositif. Ainsi par exemple, la température de la jonction est un paramètre dont dépend la dispersion des caractéristiques électriques du transistor, et c’est pour cette raison que les fabricants, en donnant ces caractéristiques précisent la valeur de la température pour laquelle celles-ci ont été définies.

Grandeurs qui servent à analyser le fonctionnement du transistor et à établir le projet d’un montage. Les paramètres ont une importance fondamentale : ils représentent les résistances entre les différentes électrodes. Les paramètres g définissent les conductances. Les paramètres h (ou hybrides) définissent d’une part des résistances, d’autre part des conductances.

L’utilisation des paramètres r est surtout indiquée dans le cas des transistors à pointes, tandis que l’emploi des paramètres g ou h est particulièrement recommandé pour les transistors à jonction. En pratique, les valeurs des paramètres g et h dépendent, et des transistors, et aussi du type de montage utilisé. On obtient ainsi des valeurs différentes selon que le montage est base à la masse, émetteur à la masse ou collecteur à la masse.

Voir "cellule".

Dispositif à deux électrodes sensible à la lumière (coir cellule)

Transistor sensible à la lumière : ce dernier est commandé par la lumière au lieu de l’être par un signal électrique.

Symbole d’un transistor dont l’émetteur et le collecteur sont du type P et qui est constitué en outre d’une couche intermédiaire N et d’une couche d’un semi-conducteur Intrinsèque qui ensemble composent l’électrode de base.

Symbole d’un transistor dont l’émetteur et le collecteur sont du type P et dont la base est du type N.

C’est le courant (ou la tension) continu, qui en l’absence du signal, stabilise et définit les conditions de fonctionnement d’un étage. Il faut se rappeler que le point de fonctionnement d’un tube électronique dépend de la tension de polarisation de la grille. Dans un transistor, le point de fonctionnement dépend du courant de polarisation de la base.

Traitement chimique ou physique qui a pour but le raffinage des matériaux utilisés dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs. Particulièrement importante est la purification du germanium et du silicium à l’aide du procédé de la zone liquide mobile dans les fours HF. A l’aide de ce procédé, il a été possible d’obtenir des semi-conducteurs à un degré de pureté "électronique" nécessaire à la fabrication des transistors.

Dénomination générique d’un appareil électrique comportant deux bornes d’entrée et deux bornes de sortie. Tous les circuits électriques qui ont une entrée et une sortie peuvent être représentés sous forme de quadripôles, même s’ils ne possèdent que trois bornes extérieures. Dans ce cas obligatoirement, une des trois bornes doit être commune au circuit d’entrée et de sortie. Le transistor est un quadripôle qui selon son montage, peut avoir comme borne commune, l’émetteur, ou bien la base, ou bien le collecteur. Si l’on veut représenter le transistor sous forme d’un quadripôle, il faut encore faire quelques remarques pour que son fonctionnement électrique réel soit bien celui du transistor ; en premier lieu, le transistor est un composant "actif" ainsi le circuit du quadripôle devra être considéré comme "actif", en second lieu, il faut se rappeler que le fonctionnement peut être décrit, à l’aide des paramètres r, ou g, ou h (voir "paramètres des transistors"). Selon les paramètres utilisés, on pourra donner trois représentations du circuit interne du quadripôle, c’est-à-dire du transistor. Si l’on utilise les paramètres r (résistance), il convient de représenter le quadripôle sous la forme d’un circuit en T ; si l’on utilise les paramètres g (conductance), il convient de le représenter sous la forme d’un circuit en π ; si l’on utilise les paramètres h (résistance et conductance), il convient de le représenter sous la forme d’un circuit en H. Les trois lettres (T, π, et H) servent à indiquer de façon schématique les représentations électriques possibles d’un transistor. Les trois circuits sont dits "équivalents", car chacun d’eux peut représenter de la même façon la structure interne et électrique du transistor et expliquer son fonctionnement en accord avec tous les résultats expérimentaux obtenus lors des recherches en laboratoire.

C’est une ailette métallique (ou tout autre matériau bon conducteur de la chaleur) qui absorbe et disperse la chaleur. De tels radiateurs sont montés sur les diodes ou les transistors de puissance et servent à limiter l’échauffement produit par le passage du courant électrique.

Fréquence comprise dans l’échelle des radiations d’origine électromagnétique utilisables pour les radio-communications par ondes hertziennes. Ce sont des fréquences supérieures aux fréquences acoustiques mais inférieures aux fréquences des ondes lumineuses. Elles s’étendent de 20 kHz à 30.000 MHz, et comprennent par conséquent les fréquences ultrasonores qui s’étendent entre 20 kHz et 100 kHz.

On dit aussi Haute fréquence (voir ce mot).

La réaction se produit dans un circuit électrique lorsque le signal de sortie d’un étage amplificateur est ramené à l’entrée de ce même étage, ou d’un étage qui le précède. Le signal de réaction se superpose à celui d’entrée et si les deux signaux sont en phase, on obtient à la sortie de l’amplificateur, un signal. d’amplitude plus grande. Si au contraire, ils sont déphasés ou même en opposition de phase l’amplitude du signal résultant est plus faible.

négative

Lorsque le signal de réaction est déphasé par rapport à celui d’entrée, on obtient à la sortie de l’amplificateur, une diminution de l’amplitude du signal.

positive

Lorsque le signal de réaction est en phase avec celui d’entrée (ou lorsque le déphasage est très faible) on obtient à la sortie de l’amplificateur, une augmentation de l’amplitude du signal.

Circuit qui a la propriété de redresser le courant alternatif, en délivrant à la sortie une tension pulsée unidirectionnelle. La tension à la sortie, convenablement filtrée à l’aide de filtres, peut servir à alimenter en courant continu, les circuits à transistors. Le redresseur peut être composé d’une simple diode ou de plusieurs diodes branchées différemment, comme par exemple dans le cas d’un redresseur en pont. Un redresseur présente donc une dissymétrie dans les deux sens de conduction électrique (voir "diodes et détection").

d’entrée

Un des paramètres r, défini comme étant la valeur du rapport entre la tension et le courant d’entrée d’un transistor à circuit se sortie ouvert.

de transfert direct

Un des paramètres r, défini comme étant le rapport entre la tension de sortie d’un transistor et le courant d’entée de ce même transistor, à circuit de sortie ouvert.

de transfert inverse

Un des paramètres r, défini comme étant le rapport entre la tension d’entrée d’un transistor et le courant de sortie de ce même transistor, à circuit d’entrée ouvert.

de sortie

Un des paramètres r, défini comme étant le rapport entre la tension et le courant de sortie d’un transistor, à circuit d’entrée ouvert.

Métal utilisé dans la fabrication des cellules photo-électriques et des redresseurs à couche d’arrêt.

Matériau qui présente une résistivité comprise entre celle des bons conducteurs et celle des bons isolants. Sont des semi-conducteurs : le germanium, le silicium, de nombreux composés, quelques combinaisons entre les éléments de la troisième et la cinquième colonne du tableau de Mendeleïev, etc … La résistivité des semi-conducteurs varie lorsque le matériau est soumis à un échauffement, aux radiations lumineuses, à l’action de champs magnétique ou électrique. Les semi-conducteurs appartiennent aux trois types fondamentaux suivants :

type intrinsèque

Semi-conducteur dans lequel les concentrations des donneurs et des accepteurs sont distribuées également et uniformément (voir Donneurs et Accepteurs). Le flux de courant qui traverse un semi-conducteur intrinsèque est constitué d’un nombre égal d’électrons et de trous. On peut aussi considérer comme étant intrinsèque, tous les semi-conducteurs à l’état pur.

type N

Semi-conducteur dans lequel le nombre de donneurs est supérieur au nombre des accepteurs. Le flux de courant électrique qui traverse un semi-conducteur N est dû surtout à un déplacement d’électrons libres.

type P

Semi-conducteur dans lequel le nombre des accepteurs est supérieur au nombre des donneurs. Le flux de courant électrique qui traverse un semi-conducteur du type P est dû surtout à un déplacement des trous (voir "trous").

Condensateur variable à un semi-conducteur (voir "varicap").

Semi-conducteur utilisé surtout dans la fabrication des diodes de puissance et des transistors prévus pour fonctionner à des températures élevées.

Bruit de fond qui se produisait avec une forte intensité dans les premiers amplificateurs à transistors. Actuellement la technique de fabrication s’est améliorée, et le bruit de fond obtenu est inférieur à celui des tubes électroniques à amplification égale.

Alimentation d’un transistor à tension et courant réduits. En général, on sous-alimente un circuit à transistors lorsque la température ambiante est élevée, ou bien lorsque l’on désire éviter que la température interne des jonctions n’atteigne des valeurs excessives.

Système utilisé pour obtenir la stabilité en amplification et en fréquence dans les circuits transistorisés. Dans les amplificateurs à transistors en émetteur commun, la stabilisation thermique est très importante car de tels montages sont particulièrement sensibles à la température.

d’amplification

Lorsque l’amplification d’un circuit à transistors est complètement indépendante des variations de quelque nature qu’elles soient.

en fréquence

Lorsque la fréquence d’un oscillateur est indépendante de la température et du choix des transistors.

Dénomination que l’on donne à des montages réalisés dans des dimensions d’encombrement extrêmement réduites. On utilise des montages subminiatures dans les appareils du type pocket (de poche).

Circuit qui constitue à lui seul une unité amplificatrice complète. Ces dispositifs à semi-conducteurs sont obtenus par des procédés de diffusion successive d’où formation de couches de conductibilité différente. Par ce procédé on obtient dans la même plaquette du semi-conducteur, la création de transistors, diodes, résistances, capacités, etc … sans aucune connexion extérieure sauf celle d’entrée et celle de sortie. Les subsystems sont utilisés dans les appareils électroniques des fusées et des satellites artificiels.

Correspondance qui existe entre les caractéristiques de polarisation et les propriétés des transistors PNP et NPN. La correspondance est dite symétrique parce que la tension et les courants qui alimentent les transistors de l’un et de l’autre type ont même ordre de grandeur mais sont de signes contraires. Elle est complémentaire, parce qu’à une électrode P du transistor P-N-P correspond une électrode N du transistor N-P-N et vice-versa. D’autre part, les transistors de l’un ou de l’autre type dans un même circuit présentent des fonctions complémentaires.

Métal utilisé dans la fabrication des condensateurs électrochimiques de faibles dimensions et de grande capacité.

Savant Polonais qui a inventé l’extraction verticale des monocristaux de germanium. La méthode TCHIOKRALSKI consiste à appliquer un monocristal, appelé "germe", à la surface du germanium à l’état liquide (dopé) contenu dans un creuset en graphite et à le tirer très lentement dans le sens vertical. Pendant cette opération, le germanium à l’état liquide se refroidit dans la région voisine du germe et cristallise en donnant un monocristal dopé ayant la même orientation que celle du germe. On peut obtenir grâce à cette technique, des semi-conducteurs du type P et du type N. On peut aussi former des jonctions alternées du type P et du type N et obtenir directement des transistors pendant l’extraction du monocristal (voir "transistor à tirage contrôlé").

Les techniques utilisées par les fabricants des dispositifs à semi-conducteurs et en particulier des diodes et des transistors sont très nombreuses ; si l’on néglige les techniques de montage mécanique, il y a quatre méthodes fondamentales pour obtenir des jonctions redresseuses.

contact métallique redresseur

Le procédé consiste à appuyer ou à souder l’extrémité d’une pointe métallique sur une plaquette de semi-conducteur N. A l’aide de ce procédé, on réalise des diodes de détection, des diodes mélangeuses, des transistors à pointes, des redresseurs de faible puissance et des transistors à barrière de surface pour hautes fréquences.

à tirage contrôlé

On peut former des jonctions pendant le tirage du monocristal, en modifiant la vitesse d’extraction du semi-conducteur à l’état liquide et convenablement dopé au préalable, ou bien en faisant varier la température de la masse liquide au voisinage de la zone où se fait la cristallisation et l’extraction du monocristal. Ces procédés sont maintenant pratiquement abandonnés.

formation par alliage

Si l’on met en contact une plaquette d’un semi-conducteur N une plaquette contenant des impuretés P, et que l’on chauffe vers 550-600° C, on obtient une fusion totale des impuretés et une fusion partielle de la plaquette N dans la zone de contact. La masse liquide constitue un alliage de germanium, d’impuretés d’origine N, et d’impuretés P que l’on y inclus. En refroidissant lentement cette zone, de façon à ce que le germanium de la plaquette recristallise et conserve l’orientation du monocristal, il se forme à la superficie de la plaquette N, une couche où les impuretés P sont supérieures aux impuretés N et l’on obtient ainsi une jonction P-N. C’est ce procédé qui est actuellement utilisé dans la fabrication des transistors et des diodes pour basse fréquence. On peut obtenir de la même manière des jonctions N-P, en utilisant des plaquettes P et des impuretés N.

par diffusion

On peut exposer des plaquettes de semi-conducteurs N ou P à des vapeurs d’impuretés. Une partie des atomes d’impuretés pénètrent dans la plaquette et diffusent dans le réseau cristallin. En général, les impuretés qui diffusent sont du type opposé à celui de la plaquette et se trouvent en surnombre dans la zone superficielle. Il se forme ainsi sur chacune des plaquettes une jonction P-N. Ce procédé est surtout utilisé dans la fabrication des transistors pour hautes et très hautes fréquences.

Dispositif à semi-conducteur, ne possédant qu’une seule jonction et formant une espèce de "goulot" dans la zone centrale d’un monocristal cylindrique. Cette jonction est polarisée en inverse, de façon que lorsque l’on augmente la tension de polarisation, on diminue (par effet de champ) le flux du courant qui traverse le semi-conducteur. Comme les tubes électroniques, le tecnetron est commandé par une tension inverse appliquée à l’électrode centrale ; il est donc caractérisé par une transconductance exprimée en microampères / Volt ; comme les transistors, il y a une grande résistance interne et un fort gain en courant. Du point de vue des caractéristiques électriques, le tecnetron peut être considéré comme intermédiaire entre le tube et le transistor. Il a une bonne réponse aux fréquences élevées et une stabilité correcte aux variations de température.

Tension pour laquelle se produit l’effet Zener (voir "effet Zener").

A semi-conducteur (voir "transistor")

C’est une résistance caractérisée par un coefficient de température relativement élevé, et qui présente donc une forte variation de résistance en fonction des variations de sa température. Ces variations peuvent être dûes au passage du courant. Le coefficient de température de la thermistance est négatif : ainsi un accroissement de la température provoque une diminution de la résistance. La thermistance est quelquefois indiquée par les initiales N T C (voir "N T C") ou bien C T N (voir "C T N").

A semi-conducteur (voir "transistor").

Dispositif composé de deux jonctions entre des semi-conducteurs de type opposé (voir "semi-conducteur"). Son circuit peut être représenté à l’aide d’un quadripôle (voir "quadripôle"). En général, le transistor comporte trois ou quatre électrodes : base, émetteur, collecteur et quelquefois une quatrième électrode. Une des électrodes sert à contrôler le déplacement des charges élémentaires qui traversent les jonctions, et le transistor peut fonctionner comme amplificateur tout comme un tube électronique. Son nom dérive de la fusion de deux termes anglais, trans (fer) et (res) istor qui signifient respectivement "transfert" et "résistance" et se rapportent au phénomène particulier dans lequel la résistance entre deux électrodes varie en fonction du courant fourni par la troisième.

à barrière de surface

Transistor pour haute fréquence. La base de ce transistor est composée par une plaquette attaquée par voie chimique (formation d’un "creux"). Le collecteur et l’émetteur sont obtenus par un dépôt électrolytique dans le "creux" de la base. Par ce procédé, on peut obtenir des jonctions de surface extrêmement faible, ce qui signifie que l’on a des capacités inter-électrodes très faibles. Mais pour cette raison même, le dispositif ne peut supporter que des tensions basses et des courants faibles les transistors de ce type, ne peuvent dissiper que des puissances très faibles.

à diffusion

Transistor obtenu par la technique dite de diffusion (voir "technique de fabrication" et "diffusion des impuretés").

à effet de champ

C’est un dispositif dans lequel le fonctionnement est obtenu en réglant le courant d’une diode semi-conductrice en faisant varier un champ électrique appliqué. L’électrode de commande du champ est placée au voisinage du semi-conducteur mais non pas à son contact. Du point de vue fonctionnement électrique, le transistor à effet de champ est semblable au tecnetron et au transistor uni-jonction (voir "Tecnetron" et "transistor uni-jonction").

à jonction

Dénomination générale de tous les transistors obtenus soit par alliage, soit par tirage contrôlé, soit par diffusion alliée (ou à alliage). A cette catégorie appartiennent tous les transistors basse-fréquence utilisés actuellement dans les récepteurs radio, les amplificateurs d’électrophones et les appareils pour prothèse auditive.

allié et à diffusion

Transistors fabriqués à l’aide de procédés d’alliage et de diffusion. On forme dans une plaquette par diffusion la couche de base. La partie inférieure de cette plaquette constitue le collecteur. L’électrode de l’émetteur est obtenue par un procédé d’alliage sur la face externe de la base. C’est à l’aide de ce procédé, que l’on fabrique les transistors "mesa" pour haute fréquence (voir "Mesa" *). Les transistors "drift" (voir "drift" et "effet drift") appartiennent aussi à la catégorie des transistors alliés et diffusés. Dans ce cas, la plaquette qui constitue l’électrode de base est soumise au procédé de la diffusion, de façon à obtenir un gradient d’impuretés (voir "gradient") ; on place ensuite sur les faces opposées de cette plaquette, les deux électrodes collecteur et émetteur par le procédé classique d’alliage.

à micro-alliage (ou micro-allié)

Transistor obtenu par un procédé analogue à celui d’alliage, avec la seule différence que la plaquette est "incisée" de façon à réduire l’épaisseur de l’électrode centrale (la base) et diminuer ainsi la zone intéressée par la formation des deux jonctions.

Ce transistor, comme celui à barrière de surface, est prévu pour les hautes fréquences et pour les faibles puissances de dissipation (voir "transistor à barrière de surface").

analogique

C’est un transistor théorique, non encore réalisé en pratique et qui devrait fonctionner comme un tube électronique. Un émetteur central (correspondant à la cathode) est recouvert par un semi-conducteur intrinsèque qui représente la grille. La cathode et la grille sont recouvertes par un semi-conducteur identique à celui de la cathode ; cette enveloppe qui se trouve en contact avec la surface externe du semi-conducteur intrinsèque, forme l’anode. Actuellement, c’est le tecnetron (voir "tecnetron") qui se rapproche le plus, du point de vue fonctionnement du transistor analogique.

à pointes

Transistor formé par des jonctions métalliques à contact à pointes (voir "Technique de fabrication"). Les transistors à pointes sont utilisés comme éléments de commutation dans les calculatrices électroniques.

coaxial

Type spécial de transistor à pointes. La base est formée par un petit disque de matériau semi-conducteur monté dans une minuscule capsule. Sur les faces opposées du disque sont appuyées respectivement les pointes de l’émetteur et du collecteur. On obtient par cet artifice, un blindage optimum entre les conducteurs d’entrées et de sortie.

drift

Transistor allié et diffusé dans lequel on exploite l’effet drift (voir "effet drift") afin de diminuer le temps de transit des charges à travers l’électrode de base. Les transistors de ce type sont utilisés dans les étages HF des récepteurs radio.

épitaxial

Transistor obtenu par procédés répétés de diffusion (voir "Technique de fabrication"). Il se forme ainsi dans la même plaquette des couches superposées de différents types de conductibilité. En général, la couche inférieure constitue l’électrode de collecteur ; entre le collecteur et la base se trouve une couche de type intrinsèque dont la région centrale comporte une cavité ; l’électrode de base correspond à la cavité formée dans le semi-conducteur intrinsèque. L’émetteur, lui, correspond à la couche entourant la base. Cette dénomination du transistor dérive du grec et indique la disposition particulière de la couche intrinsèque autour de l’électrode de base.

M.A.D.T. *

Transistor microallié et à base diffusée (voir "M.A.D.T.")

Mesa *

Transistor microallié et à base diffusée (voir "Mesa").

multiple

Dispositif comportant deux ou plusieurs transistors montés dans un même boîtier (appelé "transistor-tandem").

tétrode à jonction

C’est un transistor à quatre électrodes. En réalité, il s’agit encore d’une triode, mais qui comporte deux contacts de base. Un des deux contacts est utilisé normalement comme électrode de base, tandis que l’autre est polarisé par une tension négative relativement élevée. De cette manière, on diminue la résistance de base et on améliore la réponse aux fréquences élevées. Le transistor tétrode peut être utilisé comme modulateur ou comme mélangeur puisqu’en faisant varier la tension de l’électrode supplémentaire, on fait varier aussi l’amplification du transistor.

thyratron

Dispositif à semi-conducteur, formé par une succession de trois jonctions : N-P-N-P. La jonction centrale P-N ne devient conductrice que lorsque la tension appliquée dépasse une certaine valeur au-dessus de laquelle la résistance inverse s’annule par l’effet d’avalanche et le dispositif fonctionne alors comme un transistor. Le fonctionnement est analogue à celui des tubes thyratron. Certains type de thyratron au silicium admettent des tensions de quelques centaines de volts et des courants de l’ordre de 10 A. Appelé aussi thyristor.

triode P-N-I-P

Transistor allié et à base diffusée. L’électrode de base est constituée par une couche N et une couche I (intrinsèque) qui a comme propriété d’accentuer l’effet drift (voir "effet drift") et de diminuer donc le temps de transit des charges dans la base.

unijonction

C’est un transistor qui par construction diffère des types classiques à jonction. Il est constitué par une plaquette P (ou N), au centre de laquelle on forme une jonction. Sur les bords opposés de la plaquette, sont appliqués deux contacts ohmiques qui forment respectivement les sorties d’émetteur (cathode) et collecteur (anode). Le courant qui se déplace de l’émetteur vers le collecteur est contrôlé par le champ électrique de la jonction. Le transistor présente une bonne réponse aux fréquences élevées et une impédance d’entrée relativement élevée.

C’est un courant, ou une tension variable qui se forme dans le circuit d’un dispositif (à transistors ou à tubes) lorsque ce dernier se trouve réglé dans une nouvelle région de fonctionnement. Comme son nom l’indique, ce phénomène est de brève durée.

Synonyme de "lacune". C’est une charge électrique positive qui se forme dans un réseau cristallin lorsqu’un électron de valence se trouve manquant.

Voir "effet tunneling"

Dénomination générique des composants fabriqués à l’aide de procédés de miniaturisation très poussée et aux limites des possibilités mécaniques. Certains constructeurs utilisent ce nom pour les composants subminiatures (voir "subminiature").

Voir "Transistor unijonction".

Propriété suivant laquelle des atomes tendent à se combiner avec d’autres atomes pour former une molécule. Par exemple, un atome d’oxygène, dans des conditions bien déterminées de pression et de température, se combine avec deux atomes d’hydrogène pour former une molécule d’eau. En prenant l’atome d’hydrogène comme référence, on dira que l’oxygène a pour valence 2, c’est-à-dire qu’il peut se combiner avec deux atomes d’hydrogène. Par analogie on dira que le germanium et le silicium ont tous les deux comme valence 4, parce que chacun d’eux peut se combiner avec quatre atomes d’hydrogène, ou avec deux atomes d’oxygène. Ainsi le germanium tout comme le silicium peut se combiner effectivement avec deux atomes d’oxygène pour former le bioxyde de germanium (ou de silicium). Les forces qui unissent entr’eux les atomes d’une molécule sont dites "liaisons de valence".

Condensateur variable à semi-conducteur. On utilise quelquefois la dénomination de "Semi-cap".

Diode à semi-conducteur dont la résistance décroît rapidement en fonction du courant et de la tension appliquée.

Sigle formé par les initiales de l’expression anglo-saxonne Voltage Dependent Resistance qui signifie Résistance dépendant de la tension (c’est-à-dire de la tension appliquée). Il s’agit de résistances spéciales dont la valeur de la résistance décroît lorsque la tension appliquée augmente.

pour circuit imprimé

Vernis ou peinture résistant aux acides. Utilisé pour dessiner la trame du circuit que l’on désire réaliser. Lorsque l’on désire préparer un prototype on applique le vernis à l’aide d’un pinceau. Lorsqu’il s’agit d’une fabrication en série, on utilise un rouleau ou un timbre qui reproduit le dessin du circuit par application directe sur la feuille de cuivre qui recouvre la plaquette.

Physicien, qui en 1934 découvrit pour la première fois le phénomène qui porte aujourd’hui son nom (voir "effet Zener").

Dénomination anglo-saxonne du procédé physique de raffinage des semi-conducteurs appelé encore "procédé de la zone liquide mobile".